低温等离子体技术处理工艺设计在封装工艺中的使用
低温等离子体技术处理工艺设计在封装工艺中的使用：
sip、bga、csp等封装技术的发展使半导体器件朝着模块化、高集成度和小型化方向发展。这类封装组装工艺存在的主要问题是：填料粘结处有有机物污染，电加热时形成氧化膜等。粘结表面存在污染物，使元件的粘结强度和封装后树脂的灌封强度降低，直接影响了元件的装配水平和持续发展。为了提高和改进这些元件的装配能力，大家都在想方设法解决这个问题。改进实践表明，在封装工艺中适当引入低温等离子体技术处理工艺设计的使用，可大大提高封装的可靠性，提高成品率。
采用cog工艺在玻璃基片(lcd)上安装裸晶片ic，当晶片被粘合后经过高温硬化后，在低温等离子体技术处理时粘合填料表面有基体成分析出。同时也经常会有粘结填料上的粘结剂如ag浆料等溢出成分污染。在热压联锁过程之前，使用低温等离子体技术可以除去这些污染物，那么热压联锁的质量可以大大提高。此外，由于衬底与裸晶片表面的润湿性均有所改善，lcd-cog模块的结合密接性也有所改善，同时线材腐蚀问题也有所改善。
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