KRI 射频离子源应用于多层膜磁控溅镀设备
上海伯东代理美国kri 射频离子源应用于多层膜磁控溅镀设备 multilayer sputter, 通过使用kri 射频离子源可实现基板清洁和加速镀膜材料的溅射速度, 并且离子源在材料沉积过程中可帮助沉积并使沉积后的薄膜更为致密. 膜基附着力更好, 膜层不易脱落.
多层膜的结构广泛用于各个领域, 而对于精密系统则需要更严格的规格, 包括光, 声音和电子组件. 在单一材料薄膜无法满足所需规格的精密系统中, 高质量多层膜的作用变得越来越重要. 因此, 新材料的开发和薄膜的精确控制制程已成为当前多层薄膜研究的重要方向. 特殊设计的多层膜磁控溅镀系统拥有基板公自转机构, 可实现精准的多层膜结构并可以一次批量生产.
多层膜磁控溅镀设备 multilayer sputter 载台可公自转或定在靶材位置自转
上海伯东kri射频离子源rficp参数:
型号
rficp 40
rficp 100
rficp 140
rficp 220
rficp 380
discharge 阳极
rf 射频
rf 射频
rf 射频
rf 射频
rf 射频
离子束流
>100 ma
>350 ma
>600 ma
>800 ma
>1500 ma
离子动能
100-1200 v
100-1200 v
100-1200 v
100-1200 v
100-1200 v
栅极直径
4 cm φ
10 cm φ
14 cm φ
20 cm φ
30 cm φ
离子束
聚焦, 平行, 散射
流量
3-10 sccm
5-30 sccm
5-30 sccm
10-40 sccm
15-50 sccm
通气
ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他
典型压力
< 0.5m torr
< 0.5m torr
< 0.5m torr
< 0.5m torr
< 0.5m torr
长度
12.7 cm
23.5 cm
24.6 cm
30 cm
39 cm
直径
13.5 cm
19.1 cm
24.6 cm
41 cm
59 cm
中和器
lfn 2000
上海伯东美国 kri 提供霍尔离子源,考夫曼离子源和射频离子源, 历经40 年改良及发展已取得多项专li. 广泛用于离子清洗 pc, 离子蚀刻 ibe, 辅助镀膜 ibad, 离子溅射镀膜 ibsd 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
若您需要进一步的了解kri 离子源, 请参考以下联络方式
上海伯东: 罗先生
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KRI 射频离子源应用于多层膜磁控溅镀设备
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