某传感器制造商为了制备出具有高结晶度、大比表面积、排列规则的纳米结构wo3薄膜,经过对比选择,采用kri考夫曼射频离子源rficp380辅助磁控溅射沉积设备镀制wo3薄膜.
kri射频离子源rficp380技术参数:
射频离子源型号
rficp380
discharge阳极
射频rficp
离子束流
>1500 ma
离子动能
100-1200 v
栅极直径
30 cm φ
离子束
聚焦,平行,散射
流量
15-50 sccm
通气
ar, kr, xe, o2, n2, h2,其他
典型压力
< 0.5m torr
长度
39 cm
直径
59 cm
中和器
lfn 2000
气体传感器可以将被检测气体的种类、浓度等信息转变为可测信号,并将计算机与被检测到的信号连接口相连接,构成自动的监控、检测和报警系统.氧化钨薄膜可以吸附各种气体,从而导致薄膜的电阻或光学参数的变化,常常应用于气体传感器领域.
kri离子源的功能实现了更好的性能,增强的可靠性和新颖的材料工艺.kri离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性,而这些特性在不使用kri离子源技术的情况下是无法实现的.
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