DT640硅二极管低温温度传感器详解
dt640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管，具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度（v-t）曲线，因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。
dt640-bc型裸片温度计，相比市场上的其它温度计，具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独★的优势。
特点：※ 激励电流小，因而具有很小的自热效应；
※ 符合标准曲线，具有良好的互换性；
※ 多种封装，不易损坏、耐温度冲击、易于安装；
※ 在宽温度范围1.4k-500k内，可提供较好的测量精度；
※ 遵循dt-640标准温度响应曲线；
※ 多种可选封装方式。
参数：※ 温度范围：3k~500k；
※ 标准曲线：dt640
※ 推荐激励电流：10µa±0.1%；
※ 可重复性：10mk@4.2k，16mk@77k，75mk@273k。
※ 反向电压高达：75v；
※ 损坏前电流高达：长时间200ma 或瞬间1a；
※ 推荐激励下的功率耗散：20µw@4.2k; 10µw@77k; 6µw@300k；
※ bc封装响应时间：10ms@4.2k, 100ms@77k, 200ms@305k；
※ 辐射影响：只推荐在低辐射场合下使用；
※ 磁场影响：不推荐在磁场环境下使用。
关键词：温度传感器 温度计
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特点：※ 激励电流小，因而具有很小的自热效应；
※ 符合标准曲线，具有良好的互换性；
※ 多种封装，不易损坏、耐温度冲击、易于安装；
※ 在宽温度范围1.4k-500k内，可提供较好的测量精度；
※ 遵循dt-640标准温度响应曲线；
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参数：※ 温度范围：3k~500k；
※ 标准曲线：dt640
※ 推荐激励电流：10µa±0.1%；
※ 可重复性：10mk@4.2k，16mk@77k，75mk@273k。
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※ 推荐激励下的功率耗散：20µw@4.2k; 10µw@77k; 6µw@300k；
※ bc封装响应时间：10ms@4.2k, 100ms@77k, 200ms@305k；
※ 辐射影响：只推荐在低辐射场合下使用；
※ 磁场影响：不推荐在磁场环境下使用。
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