安森美半导体创新的ATPAK 封装用于汽车应
atpak封装采用夹焊技术提升散热性
随着封装尺寸变得更小，器件内的温度往往增高，因为它变得更难于导出多余热量。而散热性对总能效、安全及系统可靠性至关重要。atpak封装采用夹焊技术，可将热阻抗及总导通电阻降至低，比采用传统的金属线粘结的dpak封装大大提升电流处理能力。热阻抗是指1 w热量所引起的温升大小，单位为℃/w。热阻抗越低，散热性越好。经选用相同规格的atpak和 dpak 器件进行测试和对比，结果显示即使无散热片时的热阻抗相同，在采用散热片后 atpak 比 dpak 的热阻抗低 6℃/w。具体测试详情
传统的金属线粘结使用金、铜或铝来连接封装中硅芯片的每个电极。然而，由于每种线都相对较薄，这从根本上限制了电流处理。通过增添更多并联的导线可减少这限制，但这将影响整体成本，且可并联邦定的导线数量有实际限制。由于汽车功率mosfet在高温环境下执行大电流驱动控制，低导通阻抗是汽车方案的一项关键性能因数。对于低导通电阻的mosfet，导线电阻可代表封装中相当大的总阻抗。尤其在要求导通阻抗低于20 mω的应用中，导线的阻抗不能忽略。
夹焊技术使用铜夹直接连接每个电极，可大幅降低漏-源极路径电气阻抗，从而降低导通阻抗，并实现更好的热传导。测试结果显示，夹焊比铝线粘结降低30%的导通阻抗，比金线粘结降低达90%的导通阻抗。而且夹焊技术使用宽横截面积的铜板，大大提高了电流处理能力，消除传统工艺中高电流可熔断导线的问题。
atpak电流处理能力高达100 a，这也是d2pak能达到的大电流处理能力。而且，atpak的成本几乎与dpak一样。因此，在设计中采用atpak替代d2pak，既可减小50%的封装尺寸，又可实现相同的性能，达到节省空间和提升功率处理能力的双重目的，还不增加成本。
atpak p沟道功率mosfet的优势
经与竞争对手的p沟道mosfet相比，安森美半导体的atpak p沟道mosfet提供更小的尺寸、更低的导通阻抗、更高的电流处理能力和更出色的抗雪崩能力。抗雪崩能力指的是电感中存储的能量放电到功率mosfet中时的易受影响程度。此外，静电放电(esd)总是封装及实际使用要克服的挑战，汽车应用环境中可能会出现esd，原因是机械摩擦，此外，干燥的空气往往也会增加静电放电。esd可能会导致机械故障。所以安森美半导体的atpak p沟道功率mosfet嵌入保护二极管以增强esd强固性。
相比n沟道mosfet需要电荷泵以降低导通阻抗，p沟道方案无需电荷泵，以更少的元件提供更简单和更可靠的驱动。
安森美半导体的p沟道汽车mosfet产品阵容
安森美半导体提供宽广的p沟道mosfet产品系列以满足各种不同的汽车应用需求，采用atpak封装的p沟道mosfet由于低导通电阻和的散热性，可用于达65 w的应用。设计人员可根据具体设计需求选择适合的mosfet。
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夹焊技术使用铜夹直接连接每个电极，可大幅降低漏-源极路径电气阻抗，从而降低导通阻抗，并实现更好的热传导。测试结果显示，夹焊比铝线粘结降低30%的导通阻抗，比金线粘结降低达90%的导通阻抗。而且夹焊技术使用宽横截面积的铜板，大大提高了电流处理能力，消除传统工艺中高电流可熔断导线的问题。
atpak电流处理能力高达100 a，这也是d2pak能达到的大电流处理能力。而且，atpak的成本几乎与dpak一样。因此，在设计中采用atpak替代d2pak，既可减小50%的封装尺寸，又可实现相同的性能，达到节省空间和提升功率处理能力的双重目的，还不增加成本。
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经与竞争对手的p沟道mosfet相比，安森美半导体的atpak p沟道mosfet提供更小的尺寸、更低的导通阻抗、更高的电流处理能力和更出色的抗雪崩能力。抗雪崩能力指的是电感中存储的能量放电到功率mosfet中时的易受影响程度。此外，静电放电(esd)总是封装及实际使用要克服的挑战，汽车应用环境中可能会出现esd，原因是机械摩擦，此外，干燥的空气往往也会增加静电放电。esd可能会导致机械故障。所以安森美半导体的atpak p沟道功率mosfet嵌入保护二极管以增强esd强固性。
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