KRI 考夫曼聚焦射频离子源 RFCIP220辅助溅射制备 GdF3光学薄膜
gdf3光学薄膜拥有优异的光学性能,在深紫外光学薄膜中有广泛应用,以193nm投影光刻为例,其系统有30~40个光学元件,且部分元件口径高达400mm,为了使系统高质量成像,不仅要求制备的薄膜具有高的透过率和良好的抗激光损伤能力,而且为了膜厚均匀性控制提出了高的要求.
因此某光学薄膜制造商采用kri考夫曼射频离子源fricp220和射频离子源fricp140辅助溅射制备gdf3光学薄膜,以求获得透过率高且良好抗激光损伤能力的均匀性的gdf3光学薄膜.
客户离子束溅射系统装置图如下图:
其中用于溅射的离子源为20cm的kri射频离子源rficp220,辅助离子源为12cm的kri射频离子源rficp140.
伯东kri射频离子源rficp220技术参数:
离子源型号
rficp220
discharge
rficp射频
离子束流
>800 ma
离子动能
100-1200 v
栅极直径
20 cm φ
离子束
聚焦,平行,散射
流量
10-40 sccm
通气
ar, kr, xe, o2, n2, h2,其他
典型压力
< 0.5m torr
长度
30 cm
直径
41 cm
中和器
lfn 2000
*可选:灯丝中和器;可变长度的增量
伯东kri射频离子源rficp140技术参数:
型号
rficp140
discharge
rficp射频
离子束流
>600 ma
离子动能
100-1200 v
栅极直径
14 cm φ
离子束
聚焦,平行,散射
流量
5-30 sccm
通气
ar, kr, xe, o2, n2, h2,其他
典型压力
< 0.5m torr
长度
24.6 cm
直径
24.6 cm
中和器
lfn 2000
工艺简介:
离子源工作气体为xe气, nf3作为辅助气体反应溅射,靶材为金属gd靶.
kri射频离子源rficp220主要是用于产生高能xe离子束轰击靶材,通过动量传递使靶材原子获得足够的动能而脱离靶材表面,射向基板,在基板的上沉积而形成一层薄膜;另一个辅助离子源（kri射频离子源rficp140）通入nf3,通过对生长中的薄膜的轰击,使得薄膜进一步致密,同时改善薄膜的化学性能.
运行结果:
kri考夫曼射频离子源辅助溅射制备gdf3光学薄膜具有高的透过率和良好的抗激光损伤能力,而且膜厚均匀性良好.
伯东是德国pfeiffer真空泵,检漏仪,质谱仪,真空计, 美国kri考夫曼离子源, 美国hva 真空阀门, 美国intest高低温冲击测试机, 美国 ambrell感应加热设备和日本 ns离子蚀刻机等进口品牌的代理商.
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
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20 cm φ
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栅极直径
14 cm φ
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流量
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长度
24.6 cm
直径
24.6 cm
中和器
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