KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220溅射沉积制备碳薄膜
北京某研究院采用伯东kri考夫曼射频离子源rfcip220溅射沉积制备碳薄膜,同时在室温和无催化层衬底的条件下,探究离子束能量和沉积时间对碳纳米薄膜成膜的影响.
伯东kri射频离子源rficp220技术参数:
离子源型号
rficp220
discharge
rficp射频
离子束流
>800 ma
离子动能
100-1200 v
栅极直径
20 cm φ
离子束
聚焦, 平行, 散射
流量
10-40 sccm
通气
ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他
典型压力
< 0.5m torr
长度
30 cm
直径
41 cm
中和器
lfn 2000
*可选:灯丝中和器;可变长度的增量
该溅射沉积是在气压为1.33×10-4pa和衬底温度为室温条件下,利用kri考夫曼射频离子源rfcip220溅射石墨,在无催化层的硅(si)衬底上加工碳纳米薄膜.
通过拉曼光谱对碳纳米薄膜表面物质的组成进行了分析;利用扫描电镜(sem)和原子力显微镜(afm)来显示薄膜的表面结构;实验结果显示,辐照时间对id/ig的比值以及碳晶粒的大小都有显著的影响,并且高离子束能量能够促进碳晶粒的结晶.同时,在高能量的离子束下沉积碳纳米薄膜,在si表面发现了特殊图案的碳纳米结构:雪花状,方块状及四角星状.
kri离子源的功能实现了更好的性能,增强的可靠性和新颖的材料工艺.kri离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性,而这些特性在不使用kri离子源技术的情况下是无法实现的.
因此，该研究项目才采用kri考夫曼射频离子源rfcip220辅助溅射沉积工艺.
伯东是德国pfeiffer真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国kri考夫曼离子源, 美国hva真空阀门, 美国intest高低温冲击测试机, 美国ambrell感应加热设备和日本ns离子蚀刻机等进口品牌的代理商.
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