创新方法优化IGBT电路保护

igbt绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极mos复合型功率器件。它结合功率mosfet的工艺技术,将功率mosfet和功率管gtr集成在同一个芯片中。该器件具有开关频率高、输入阻抗较大、热稳定性好、驱动电路简单、低饱和电压及大电流等特性,被作为功率器件广泛应用于工业控制、电力电子系统等领域(例如:伺服电机的调速、变频电源)。为使我们设计的系统能够更安全、更可靠的工作,对igbt的保护显得尤为重要。
目前,在使用和设计igbt的过程中,基本上都是采用粗放式的设计模式——所需余量较大,系统庞大,但仍无法抵抗来自外界的干扰和自身系统引起的各种失效问题。瞬雷电子公司利用在半导体领域的生产和设计优势,结合瞬态抑制二极管的特点,在研究igbt失效机理的基础上,通过整合系统内外部来突破设计瓶颈。本文将突破传统的保护方式,探讨igbt系统电路保护设计的解决方案。
igbt失效场合:来自系统内部,如电力系统分布的杂散电感、电机感应电动势、负载突变都会引起过电压和过电流;来自系统外部,如电网波动、电力线感应、浪涌等。归根结底,igbt失效主要是由集电极和发射极的过压/过流和栅极的过压/过流引起。
igbt失效机理:igbt由于上述原因发生短路,将产生很大的瞬态电流——在关断时电流变化率di/dt过大。漏感及引线电感的存在,将导致igbt集电极过电压,而在器件内部产生擎住效应,使igbt锁定失效。同时,较高的过电压会使igbt击穿。igbt由于上述原因进入放大区, 使管子开关损耗增大。
igbt传统防失效机理:尽量减少主电路的布线电感量和电容量,以此来减小关断过电压;在集电极和发射极之间,放置续流二极管,并接rc电路和rcd电路等;在栅极,根据电路容量合理选择串接阻抗,并接稳压二极管防止栅极过电压。

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