位置传感器PD
亚微米位置分辨率传感器。新设备在暴露于紫外线和/或极紫外辐射后可提供高度稳定的响应。它采用to-8无窗口封装，可大程度减少暴露于强烈的uv/euv光子后二极管的响应度变化。od的有效面积为5 mm x 5 mm，非常适合光刻应用以及需要使用200 nm以下波长的任何定位应用。
连续位置检测光电二极管设计用于位置检测1 nm至400 nm波长的光。在13 nm处的响应度通常为0.20 a/w；254 nm的响应度通常为0.02 a/w。在工作条件下，暗电流为10（典型值）和50（max.）na。新的odd-sxuv-dlpsd具有反向击穿电压，min.50伏，电容为40（典型值）至60（max.）pf。操作和存储温度范围从-10℃到40℃（环境温度）和-20℃到80℃（在氮气或真空条件下）。结温为max.70℃，引线焊接温度为0.080英寸，距外壳10秒钟为260℃。
参数：
活动区域：25 mm2
响应度r@13nm：0.20 a/w
响应度r@254nm：0.02 a/w
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