等离子体清洗的三种不同方式的实验结果
随着等离子清洗设备的普及，由于等离子体结构的复杂性，常被用于清洗，在接触到物体的表面时，会发生各种复杂的反应，主要有分解。一种是等离子体与物体表面的碰撞，这种碰撞产生的物理反作用。应该说，等离子体与物体表面发生的各种化学反应。各种等离子清洗的主要反应是不同的，不受气体的刺激。构成非常重要，所用气体，激发频率，以及清洗时的主要反应。目前半导体封装主要采用氩、氧、氢等气体。也可将一定比例的氩氢混合气作为激发气，实现对晶片、引线架、衬底表面的清洗，去除被清洗物。聚合物，金属氧化物，有机物污染等等。
实验结果表明，用直流等离子体、微波等离子体仪型等离子体装置和射频等离子体对目标表面有机物进行3种不同的清洗效果，分别清洗铜引线盒、芯片，对照清洁效果。各等离子设备的清洗参数不同，显示了优化参数。一种由96%氩-4%氢组成的混合气体，在电弧电流为40a时，采用直流激发。射频等离子清洗每一次都要清洗产品、直流等离子和微型。波形等离子体每次清洗时，产品应放置在20个规格的容器中。各种等离子清洗参数设定，清洁前后水滴角对比：
1、点滴测量，确认清洁效果，使用滴角测试装置。
2、自动测定jcy-3值及清洗前后的水滴角及清洗前后的水滴角。
3、在同一位置测量清洁后的引线框，每种类型的等离子。
4、每10次子清洗，测量数据，清洁前后。
5、射频式等离子体清洗后液滴角的变化较小。
6、水滴角在直流等离子体清洗中是的，表明射频等离子体对引线框基岛的清洗活性优于直流等离子体清洗。与rf射频清洗一样，微波等离子体清洗也需要物理方法。
在化学反应过程中，在引线框架表面的有机物会与金发生化学反应。氧化层的清除更为。不同的等离子清洗前后水滴角的比较。清洁前后的晶片焊盘元素含量对比采用俄歇电子能谱(aes)对比清洁前后。洗涤液表面元素含量也能确认洗涤效果。晶片贴装完毕后，清洁剂使用不同的清洁剂，然后进行键合。
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